彎道翻車？傳三星3奈米試產良率曾低至0％

發表於 2024-07-10 16:00 作者： 區塊鏈情報速遞pro

三星急於以GAA架構超越台積電，豈料3奈米製程良率偏低。（路透合成圖）（記者魏國金攝）

〔編譯魏國金／台北報導〕三星電子最新的Exynos 2500處理器良率一直是外界關注焦點。韓媒DealSite披露，目前三星3奈米生產流程存在問題，在試產Exynos 2500處理器時，最後統計出的良率竟然為0%。中國虎嗅網近日文章指出，該爆料若確實，「三星可能創造了半導體史上最大的玩笑」。

虎嗅網標題為「砸下8,400億元（人民幣，3.76兆台幣）後，三星先被自己人背刺」的文章說，知名分析師郭明錤6月19日在個人社群媒體上稱，高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供應商，原因是三星自家的Exynos 2500晶片良率低於預期而無法出貨。

該消息似乎佐證了韓媒DealSite先前發布的一份看似「離譜」的爆料，即目前三星3奈米生產流程存在問題，在試生產Exynos 2500處理器時，最後統計出的良率為0%。

該文指出，三星電子幾乎是以「透支集團未來」的方式投資3奈米製程。在2023年財報中，三星電子就曾表示，在全年資本支出的53.1兆韓元中（1.24兆台幣），有48.4兆韓元（1.13兆台幣）用於半導體。

另根據Tom's Guide先前推測，在整個3奈米計畫中，三星共投資1,160億美元（3.78兆台幣），這還不包括後續用於亞利桑那州、德州兩座3奈米廠的建設費用。

如此重金押注3奈米製程，換來的卻是自家旗艦機型的晶片，讓競爭對手獨供，勢必對三星的半導體業務帶來沉重打擊。

文章分析，三星的問題在於其極力尋求以閘極全環繞（GAA）技術超越台積電。實際上，在3奈米製程的開發上，三星的動作要先於台積電。

早在2017年，三星就宣布著手3奈米製程的研發工作。2021年中，三星宣布3奈米製程成功流片，2022年6月，三星又宣布3奈米製程進入量產階段。從流片到量產，三星較台積電維持約半年的領先優勢。

問題在於，三星在3奈米製程上改用閘極全環繞（GAA）架構的進度快得有些不正常。晶片架構的升級是非常漫長的過程，不僅對於晶片代工廠商有很高的要求，也是整個晶片產業鏈的挑戰。

一位業界從業人員表示，FinFET架構在1999年發明出來後，直到2011年前後，業界才出現與之配套的成熟EDA（電子設計自動化）軟體。三星是目前唯一研發GAA架構的廠商，這家公司恐怕很難短時間內與EDA廠商一同摸索出適用GAA架構的解決方案。

文章說，三星想透過更先進的GAA架構實現彎道超車，但如今卻不得不面對產品良率為0的窘境。

對於圍繞3奈米製程的佈局，從結果來看，重金押注GAA架構的三星賭輸了。沿用FinFET架構的台積電雖被外界批評保守，但來自輝達、蘋果、英特爾的訂單讓其3奈米製程工廠的產能利用率一度超過100%，但三星目前卻未得到任何大廠的青睞。

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